18124567403STM8L151C8T6-设计参考-内存编程
2022-10-21内存编程在试图执行任何程序操作之前，必须先解锁主程序内存和DATA区域。解锁机制取决于要编程的内存区域，如第3.5.2节:内存访问安全系统(MASS)中所述。PCODE区域总是被读取保护。重新编程的唯一方法是重置ROP选项字节，从而擦除Flash程...
STM32F103CBU6-产品设计参考-复位和时钟控制(RCC)
2022-10-21STM32F103CBU6-产品设计参考-复位和时钟控制(RCC)复位有三种类型，分别为系统复位、电源复位和备份域复位。阀杆复位系统复位将除时钟控制器CSR寄存器中的复位标志和Backup域中的寄存器外的所有寄存器设置为其重置值(参见图4)。当发生以...
STM32G0B1RET6产品详情
2022-10-20特性•核心:Arm®32位Cortex®-M0+CPU，频率高达64兆赫兹•-40°C至85°C/105°C/125°C工作温度•记忆-高达512千字节的闪存与防护区和安全区，两家银行，read-while-write支持-144千字节的SRAM(128...
STM32G431CBT6功能概述-时钟和启动
2022-10-20STM32G431CBT6功能概述-时钟和启动时钟和启动时钟控制器将来自不同振荡器的时钟分配到核心和外围设备。它还管理低功耗模式的时钟门控，并确保时钟鲁棒性。它的特点:•时钟预调器:在速度和电流消耗之间获得最佳权衡，对CPU和外设的时...
STM32G431RBT6功能概述
2022-10-20STM32G431RBT6功能概述Arm®Cortex®-M4与FPU处理器是Arm处理器的最新一代嵌入式系统。它的开发是为了提供一个低成本的平台，满足需求单片机实现，减少引脚数和低功耗，而提供卓越的计算性能和对中断的高级响应。Arm®Cortex...
LIS3MDLTR产品描述
2022-10-19LIS3MDLTR是一种超低功耗高性能三轴磁传感器。LIS3MDL用户可选择的全量程为±4/8/12/16高斯。自检功能允许用户在最终应用程序中检查传感器的功能。该设备可配置为生成用于磁场检测的中断信号。LIS3MDLTR包括一个I2C串行总...
STM32F071VBT6产品描述
2022-10-19STM32F071VBT6微控制器集成了高性能ARM®Cortex®-M032位RISC核心，工作频率高达48MHz，高速嵌入式存储器(高达128Kbytes的闪存和16Kbytes的SRAM)，以及广泛的增强外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(两个i2c，两个SPI/一个...
STM32F400CBT6产品描述
2022-10-18STM32F400CBT6器件基于高性能的Arm®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达100MHz。Cortex®-M4内核带有单精度浮点运算单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一整套DSP指令集和提高应用安全性的...
STM32F091RCT6产品设计-复位和时钟控制
2022-10-15STM32F091RCT6电源复位当发生以下事件之一时，电源复位。上电/下电复位(POR/PDR复位)当退出备用模式时，电源复位将除RTC域外的所有寄存器设置为其重置值(图6:电源概述)。在STM32F0x8设备中，POR/PDR复位无效，Standby模式不可用。电源...
STM32F091RCT6中文介绍
2022-10-14STM32F091RCT6微控制器集成了高性能ARM®Cortex®-M032位RISC核心，工作频率高达48MHz，高速嵌入式存储器(高达256Kbytes的闪存和32Kbytes的SRAM)，以及广泛的增强外设和I/o。该设备提供标准通信接口(两个i2c，两个spi/一个I2S，...
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