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STM32F10X系列MCU内部参数分析
来源:世联芯科技|作者:admin|发布时间:2022-11-23 17:24:55
STM32F10x系类MCU是比较常见和常用的单片机,其高性能、低成本、低功耗的ARM Cortex-M3内核非常受客户及RD工程师的欢迎;价格也实惠,几乎是16位产品的价格得到了32位产品的性能。

STM32F1x系列包含了基本型STM32F101系列和增强型STM32F103系列,前者时钟频率为36MHz,后者增强型时钟频率高达72MHz。Flash Size从32Kbit到128Kbit,两者之间的区别在于SRAM的最大容量和外设接口的组合。@72MHz,从闪存区域读取并执行代码,STM32功耗仅36mA,相当于0.5mA/MHz(日本以节能闻名于世,Renesas的功耗也要0.7mA/MHz)。
STM32F1x家族封装从32Pins的QFN6*6,到144Pins的LQFP20*20都有。
2. STM32F103的内部资源
2.1 内核
---M3内核,最高工作频率72MHz,整数计算能力1.25DMIPS/MHz;
---带有单周期乘法和硬件除法,不需要额外编码,计算速度快很多
在以往的ARM处理器中是没有除法指令的,在某些除法密集型应用中性能表现得不尽如意。M3内核加入了32位除法指令,弥补了这一缺陷。使得M3内核可以与其它通用处理器一样,完成各种数学运算。M3内核还改进了乘法运算部分,32位*32位操作只要一个时钟周期。性能几乎逼近DSP的性能,在电机控制、数字滤波、FFT变换等终端应用选型M3内核的MCU是一种趋势。
2.2 存储器
--- Flash Size:32Kbit ~ 512Kbit
--- SRAM Size:6~64Kbit
Eg. STM32F103VCT6:256Kbit & 48Kbit
--- STM32F103的工作电压:2.0-3.6V(I/O接口的驱动电压);
--- 上电复位(POR)、掉电服务为(PDR),可编程的电压监控(PVD,在电压不稳定时候,可以通过编程进行稳定供电);
--- 外设4-16MHz的晶振。内部有预先调8MHz RC振荡电路和 40 kHz的RC振荡电路(外部晶振失效的时候,内部晶振可以弥补,非常稳定);
--- 3种低功耗模式:休眠,停止,待机模式
--- 可使用电池为RTC和备份寄存器供电的VBAT。
STM32功耗仅36mA,相当于0.5mA/MHz(日本以节能闻名于世,Renesas的功耗也要0.7mA/MHz)。
很多芯片都没有的。
--- 7~12个DMA通道
--- 支持外设定时器、ADC1,所有的SPI, I2C, USART
2.6 ADC
--- 2个12位AD,外部通道16个,内部通道2个;2通道12位D/A转换器:STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE独有
--- A/D测量范围(转换范围): 0~3.6V
--- 双采样和保持性能
--- 内置温度传感器
--- 内置参考电压
2.7 I/O接口
--- 80~112个I/O接口,除了模拟输入引脚外,剩下的引脚均可以耐压5V
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