18124567403意法半导体 SiC 芯片：新能源汽车续航突破的关键变量
来源：世联芯科技作者：admin发布时间：2025-11-07 09:44:00
新能源汽车续航焦虑的破解，正依赖意法半导体碳化硅（SiC）芯片的技术突破。这款第三代半导体器件凭借高耐压、低损耗特性，使电驱动系统效率提升 3-5 个百分点，对应续航里程增加约 200 公里。
意法半导体 SiC 芯片采用先进沟槽栅工艺，结温耐受度可达 175℃，在整车全生命周期内稳定性优于传统硅基 IGBT。其模块化设计适配不同功率等级车型，从 A 级电动车到重型卡车均能提供定制方案。在充电场景中，配合车规级 MCU 可实现 800V 高压快充，10 分钟补能 300 公里成为可能。
2025 年数据显示，搭载该芯片的新能源车型占比已超 40%，国内多家车企将其纳入下一代平台核心方案。随着产能扩张与成本优化，意法半导体 SiC 芯片正加速新能源汽车的普及进程。
